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Résultats
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NTE237
TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,3A I(C),TO-39VAR
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NTE2352
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,80V V(BR)CEO,4A I(C),SIP
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NTE2332
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-220
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NTE2330
TRANSISTOR,BJT,NPN,55V V(BR)CEO,4A I(C),TO-218VAR
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NTE
NTE2317
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 450V, 15A, TO-218-3; TRANSISTOR POLARITY:NPN; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:450V; DC COLLECTOR CURRENT:15A; POWER DISSIPATION PD:105W; TRANSISTOR MOUNTING:THRO ...
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NTE2306
TRANSISTOR,BJT,PNP,160V V(BR)CEO,16A I(C),TO-218 ;ROHS COMPLIANT: YES
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NTE23
TRANSISTOR,BJT,NPN,14V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-92
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NTE226
TRANSISTOR,BJT,PNP,35V V(BR)CEO,2A I(C),TO-3VAR
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NTE224
RF TRANSISTOR, NPN, 60 V, 2A, 300MHZ,10 W, THROUGH HOLE TO 39 W/FLANGE
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NTE219
POWER TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-3; TRANSISTOR POLARITY:PNP; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:60V; DC COLLECTOR CURRENT:15A; POWER DISSIPATION PD:115W; TRANSISTOR MOUNTING:THROUGH HOLE; NO. ...
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NTE214
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,10A I(C),TO-3VAR
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NTE
NTE2107
IC, DRAM, 4KBIT, DIP-16; MEMORY TYPE:DRAM - NMOS; MEMORY CONFIGURATION:4K X 1; ACCESS TIME:200NS; PAGE SIZE:4KBIT; MEMORY CASE STYLE:DIP
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NTE
NTE2102
IC, SRAM, 1KBIT, SERIAL, 350NS, 16-DIP; MEMORY SIZE:1KBIT; MEMORY CONFIGURATION:1K X 1; ACCESS TIME:350NS; SUPPLY VOLTAGE RANGE:4.75V TO 5.25V; MEMORY
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NTE2079
IC,PERIPHERAL DRIVER,7 DRIVER,BIPOLAR,DIP,16PIN,PLASTIC
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NTE
NTE2077
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, 6-STAGE, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE: -0.5 TO 40 V, COLLECTOR CURRENT: 150 MA, INPUT VOLTAGE: -40 TO 40 V, CLAMP DIODE FORWARD CURRENT: 150 MA, CLAMP DIODE REVERSE ...
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NTE
NTE193A
TRANSISTOR,BJT,PNP,70V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-92VAR
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NTE
NTE1927
INTEGRATED CIRCUIT, 4 TERMINAL, NEGATIVE ADJUSTABLE VOLTAGE REGULATOR, TO3 TYPE PACKAGE, MAXIMUM INPUT VOLTAGE OF 40V
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